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　　眾所周知，電磁場產生的干擾影響可以通過磁遮罩、磁隔離和轉移元件等產生的作用使其減至最小或消除。 磁場通過導磁材料比其通過空氣或其它介質材料時更容易被轉移。 所以，常常使用高磁導率的磁性材料來製成環狀或密封的遮罩元件。
1遮罩材料的類型
　　遮罩效果是根據設備或元器件被遮罩後磁場強度衰減的程度來度量的。 遮罩後磁場強度的衰減率或衰減量是材料的磁導率、厚度和遮罩罩的尺寸的函數。 高磁導率材料比低磁導率材料昂貴，但如果用單層高磁導率材料的遮罩效果與多層低磁導率材料的遮罩效果相同，則可能選用厚度薄的高磁導率材料更經濟。

2遮罩材料的選擇
　　如上所述，遮罩材料的磁導率、遮罩罩的幾何形狀，材料的厚度等都影響磁遮罩的效果，所以，選用遮罩材料的原則是：
a.要使外部磁場得到最大衰減，需要用高磁導率(μ)的材料；
b.磁遮罩的效果也是遮罩罩材料壁厚對遮罩罩直徑（在採用矩形遮罩罩時為其對角線）之比率（t/D）的函數。
c.如果外部的干擾磁場太高，遮罩罩的衰減作用將減小。 這是因為外部磁場太高時，磁性材料將接近于磁飽和狀態。
d.在通常情況下，用厚的金屬材料製造遮罩罩是不現實的。 因為其成本高。 可以用薄型金屬箔很簡單地纏繞在受磁場影響的元件上來替代遮罩罩。

3遮罩罩的設計
a.進行遮罩罩設計時，需要以下一些資料：
　　①對遮罩材料能夠衰減多少磁場強度必須進行測量或估算得出資料。
　　②為了得到良好的磁遮罩效果，必須挑選最合適的遮罩罩形狀。 典型的或相對可被選用的幾何形狀包括長圓柱體、矩形殼體；另有球體、平板或圓錐體也會被採用。
b.設計遮罩罩時，必須首先確定磁通密度值（高斯），同時以此選擇遮罩材料的厚度。 因為遮罩材料的μ值與β值的分布圖是非線性關係，作用於遮罩罩的磁通密度必須使材料達到其峰值磁導率，例如坡莫合金和mumetal的磁通密度應在3600高斯左右。
遮罩材料的厚度可由以下公式計算確定：
t＝1.25DH/B （英寸）
式中，D是衰減率，由遮罩前的磁場強度除遮罩後的磁場強度得到。 鎳含量高的磁性材料的μ值最小可達到80000。
c.設計遮罩罩時，應注意以下事項：
　　①對於強度很高的磁場，可以使用多層材料製作遮罩罩，最靠近強磁場的那一層材料應是能夠削弱較大磁通量的合金材料，如48合金、magnesill；而第二層應採用高磁導率的材料如坡莫合金；如果有條件， 應允許磁場發射源和最靠近它的那一層遮罩材料之間的空隙最小（1/2″左右）。 在設計與製造習慣上，于多層遮罩材料的每層之間是用聚酯薄膜相間隔的。
　　②如果遮罩罩對遮罩的目標實現不了封閉磁場發射源雜散磁場的目的，則常常採用平板插在它們兩者之間。 如果平板的高度與寬度比磁場發射源和要求遮罩物的尺寸大得多，則可以封閉雜散磁場。
　　③如果用厚度小於0.006″的金屬板作遮罩材料，則一般是用於樣機上，因為這種厚度便於手工成型。 如果是批量生產用機械方法制作遮罩罩，應該採用較厚的材料。 但應注意，任何較強力的機械作業如折彎、衝壓、焊接等都會使材料產生應力，從而使材料性能下降，這就需要通過合適溫度的退火來改善。
　　④通常，在低頻（600Hz左右）狀態，遮罩罩的長度對直徑的比率大於3時，把遮罩材料的厚度從0.014增厚至0.050，則遮罩效果增強；如果比率低於3，增加材料厚度至0.025時，則影響磁場衰減的程度很小。
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